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【産業年終盤點】2019中國63座晶圓制造廠最新情況跟蹤
出自:芯思想

多年來,芯思想研究院(ChipInsights)對國內12英寸、8英寸、6英寸晶圓生産線的情況進行了長期深入的跟蹤調研。
 
根據芯思想研究院的統計,截止2019年底我國12英寸晶圓制造廠裝機産能約90萬片,較2018年增長50%;8英寸晶圓制造廠裝機産能約100萬片,較2018年增長10%;6英寸晶圓制造廠裝機産能約230萬片,較2018年增長15%;5英寸晶圓制造廠裝機産能約80萬片,較2018年下降11%;4英寸晶圓制造廠裝機産能約260萬片,較2018年增長30%;3英寸晶圓制造廠裝機産能約40萬片,較2018年下降20%。
 
爲了讓大家對我國新的晶圓制造線的最新情況有個了解,本文對2019年度有關中國晶圓生産線的最新情況進行盤點,現將調研情況梳理如下。

共計63個項目,其中6個項目已經停擺,刨除停擺項目外,其他57個項目宣布投資總額超過15000億人民幣,較2018年統計增長7%。

本文分爲兩大部分,一是矽基項目,二是化合物項目;每部分包括投産篇、産能爬坡篇、在建篇、規劃篇、停擺篇。
 
投産篇:2019年度宣布投産的晶圓制造生線
産能爬坡篇:2019年前投産的生産線,2019年産能較2018年開始提升
在建篇:2019年度還在建設的晶圓生産線
規劃篇:宣布建線計劃
停擺篇:2019年度停止建設的項目
 
一、矽基項目(53) 
投産篇(12)
中芯南方集成電路制造有限公司(12英寸14納米)
華虹半導體(無錫)有限公司(12英寸)
武漢新芯集成電路制造有限公司二期(12英寸)
三星(中國)半導體有限公司二期一階段
廣州粵芯半導體技術有限公司(12英寸)
重慶萬國半導體科技有限公司(12英寸)
江蘇時代芯存半導體有限公司(12英寸)
SK海力士半導體(中國)有限公司(12英寸)
福建省晉華集成電路有限公司(12英寸)
中芯集成電路制造(紹興)有限公司(中芯紹興,8英寸)
北京燕東微電子科技有限公司(8英寸)
江蘇英銳半導體有限公司(6英寸)
 
産能爬坡篇(14)
上海華力集成電路制造有限公司(12英寸)
長江存儲科技有限責任公司(12英寸)
長鑫存儲技術有限公司(12英寸)
合肥晶合集成電路有限公司(12英寸)
聯芯集成電路制造(廈門)有限公司(12英寸)
台積電(南京)有限公司(12英寸)
英特爾半導體(大連)有限公司(12英寸)
中芯國際集成電路制造(深圳)有限公司(12英寸)
中芯國際集成電路制造(天津)有限公司(8英寸)
中芯集成電路(甯波)有限公司(N1,8英寸)
杭州士蘭集昕微電子有限公司(士蘭集昕,8英寸)
上海新進芯微電子有限公司(8英寸)
四川廣義微電子股份有限公司(6英寸)
河南芯睿電子科技有限公司(芯睿電子6英寸)
 
在建篇(15)
廈門士蘭集科微電子有限公司(12英寸)
武漢弘芯半導體制造有限公司(弘芯半導體,12英寸)
三星(中國)半導體有限公司二期二階段(12英寸)
成都紫光國芯存儲科技有限公司(12英寸)
芯恩(青島)集成電路有限公司(芯恩,12英寸)
泉芯集成電路制造(濟南)有限公司(泉芯集成,12英寸)
芯恩(青島)集成電路有限公司(芯恩,8英寸)
賽萊克斯微系統科技(北京)有限公司(賽萊克斯,8英寸)
上海積塔半導體有限公司(積塔半導體,8英寸)
中芯集成電路(甯波)有限公司二期(中芯甯波二期,8英寸)
杭州士蘭集昕微電子有限公司(士蘭集昕二期,8英寸)
海辰半導體(無錫)有限公司(無錫海辰,8英寸)
濟南富能半導體有限公司(富能半導體,8英寸)
吉林華微電子股份有限公司(華微電子,8英寸)
山東興華半導體有限責任公司(6英寸)
 
規劃篇(7)
華潤微電子(重慶)有限公司(華潤重慶,12英寸)
華潤微電子無錫項目(華潤微電子,8英寸)
上海積塔半導體有限公司(積塔半導體,12英寸)
紫光DRAM項目(紫光DRAM,12英寸)
青島城芯半導體科技有限公司(城芯半導體,12英寸)
四川中科晶芯集成電路制造有限責任公司(中科晶芯,8英寸)
贛州名芯半導體項目(贛州名芯,8英寸)
 
停擺篇(5)
南京紫光存儲科技控股有限公司(12英寸)
格芯(成都)集成電路制造有限公司(格芯成都,12英寸)
德淮半導體有限公司(12英寸)
德科碼(南京)半導體科技有限公司(德科碼南京,8英寸)
江蘇中璟航天半導體實業發展有限公司(中璟航天,8英寸)
 
二、化合物項目(10)
投産篇(1)
廈門士蘭明镓化合物半導體有限公司(6英寸)
 
産能爬坡篇(4)
英諾賽科(珠海)科技有限公司(8英寸)
株洲中車時代電氣股份有限公司(6英寸碳化矽)
蘇州能訊高能半導體有限公司(氮化镓)
江蘇能華微電子科技發展有限公司(氮化镓)
 
在建篇(3)

英諾賽科(蘇州)半導體有限公司(8英寸)
北京世紀金光半導體有限公司(6英寸碳化矽)
濟南富能半導體有限公司(6英寸)
 
規劃篇(1)
上海積塔半導體有限公司(積塔半導體,6英寸)
 
停擺篇(1)
北京雙儀微電子科技有限公司(6英寸砷化镓)
 
 

一、矽基項目

投産篇
 
中芯南方集成電路制造有限公司
(中芯南方,12英寸14納米)

 
2019年中芯南方集成電路制造有限公司12英寸14纳米生产线正式投产,标志着中国大陆集成电路生产工艺向前推进一步,顺利完成《推进纲要》的目标。。
 
2019年第一季度,中芯南方FinFET工廠首台光刻機搬入,開始産能布建。目前已經具備月産能3500片規模,最終達到每月産能35000片的目標。
 
中芯南方成立于2016年12月1日,是配合中芯國際14納米及以下先進制程研發和量産計劃而建設的具備先進制程産能的12英寸晶圓廠。
 
華虹半導體(無錫)有限公司一期
(華虹無錫,12英寸)

 
2020年1月1日举行首批功率器件晶圆投片仪式,并和无锡新洁能签约。华虹无锡的IC+Power战略,Logic、eFlash、BCD、SOI RF和Power等工艺平台陆续推出,可满足无锡绝大多数设计公司。
 
2019年5月24日首台設備搬入,並舉行了HHFAB7廠授牌儀式。2019年6月6日華虹無錫集成電路研發和制造基地12英寸生線一期3台光刻機台搬入;2019年9月17日試投片生産,標志著中國第一條12英寸90納米/55納米工藝的功率器件生産線投産。
 
2017年8月2日,華虹宏力與無錫市政府及國家集成電路産業投資基金(大基金)簽訂了一份投資協議,三方將在無錫投資建設一座12英寸晶圓廠。據介紹,大基金向華虹注資9.22億美元,其中4億美元投給華虹半導體,持股18.94%;5.22億美元投給華虹無錫,持股29%。
 
華虹無錫集成電路研發和制造基地項目占地約700畝,總投資100億美元,一期項目總投資約25億美元,新建一條工藝等級90-65/55納米、月産能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生産線,支持5G和物聯網等新興領域的應用。
 
武漢新芯集成電路制造有限公司二期
(新芯二期,12英寸)

 
2019年二期擴産項目已經順利投産。
 
2018年8月28日,武漢新芯集成電路制造有限公司召開二期擴産項目現場推進會在武漢召開。據悉武漢新芯二期擴産項目規劃總投資17.8億美元;2018年12月開始進入設備安裝調試。
 
据悉,二期将紧抓物联网和5G运用的市场机遇,建设NOR Flash(自主代码型)闪存、微控制器和三维特种工艺三大业务平台,相当于再造一个武汉新芯。
 
根据规划,武汉新芯的NOR Flash闪存能力每个月扩充8000片,从月产能1.2万片扩至月能2万片,微控制器每个月扩充5000片,计划用5年时间把武汉新芯建设成中国物联网芯片领导型企业。
 
三星(中國)半導體有限公司二期一階段
(三星西安X2-PH1,12英寸)

 
2019年7月開始設備安裝調試,目前已經開始試運行生産,爲量産做准備,2020年3月正式量産。
 
2018年3月,三星宣布在西安举行了3D NAND闪存芯片二期一阶段项目奠基仪式。
 
三星半导体西安存储芯片基地进行了重新规划,将二期项目分为两个阶段,目前在建的做为二期第一阶段,投资70亿美元,规划月产能6万片,到2020年底,西安3D NAND月产能将由目前的12万片增至18万片,增幅约50%。
 
廣州粵芯半導體技術有限公司
(廣州粵芯,12英寸)

 
2019年9月20日,粵芯半導體第一階段的生産線正式投産。
 
2019年3月15日,广州粤芯半导体有限公司举行了12英寸生产线设备搬入仪式,首批进入的设备来自全球前五大半导体设备供应商,包括ASML的光刻机、AMAT的晶圆缺陷检测设备、LAM Research的刻蚀设备、TEL的涂胶显影设备和KLA的检测和量测设备。3月19日,有多台国产设备开始搬入并安装调试;2019年6月29日,粤芯半导体宣布,第一阶段的生产线调试已经完成,首批样品已经出货,良率已达到预期目标。
 
2018年3月開始樁基工程,10月11日舉行了12英寸集成電路生産線項目主廠房封頂;12月7日潔淨室正壓送風。
 
2017年12月举行开工仪式,这是国内第一座以虚拟IDM (Virtual IDM) 为营运策略的12英寸晶圆厂,也是广州第一条12英寸晶圆生产线。
 
粵芯半導體項目投資70億元,新建廠房及配套設施共占地14萬平方米。建成達産後,粵芯半導體將實現月産40000片12英寸晶圓的生産能力,采用130nm到180nm工藝節點生産,産品包括微處理器、電源管理芯片、模擬芯片、功率分立器件等,滿足物聯網、汽車電子、人工智能、5G等創新應用的模擬芯片需求。
 
重慶萬國半導體科技有限公司
(重慶萬國,12英寸)
 

2019年上半年,重慶萬國完成了12英寸生産線設備安裝,7月開始小批量12英寸晶圓生産。
 
2015年9月,兩江新區管委會與萬國半導體科技有限公司簽訂“12英寸功率半導體芯片制造及封裝測試生産基地項目投資協議”,2016年4月22日成立重慶萬國,將主要從事功率半導體器件(含功率MOSFET、IGBT等功率集成電路)的産品設計和生産制造。2017年2月動工建設。2018年3月開始搬入設備並裝機。
 
萬國半導體科技有限公司是全球技術領先的功率半導體企業,該項目總投資10億美元,將分二期建設。其中,項目一期投資約5億美元,建築面積93111平方米,預計每月生産2萬片芯片、封裝測試5億顆芯片;二期投資約5億美元,預計每月生産5萬片芯片、封裝測試12.5億顆半導體芯片。
   
江蘇時代芯存半導體有限公司
(時代芯存,12英寸)

 
2019年8月26日,時代全芯發布了基于相變材料的2兆位可編程只讀相變存儲器産品(EEPROM)“溥元611”,標志著中國首條PCRAM後道生産線投産,其前道生産還是選擇和華力微合作。
 
2019年4月,KLA和日立(Hitachi)的量测机台,以及Wet Etch、CVD机台陆续搬入。2018年4月10日,生产线核心设备ASML 1950Hi光刻机进厂安装,1950Hi可满足38纳米工艺生产。
 
2018年12月公司入选工信部存储器“一条龙”应用计划“示范企业”,年产10万片12英寸相变存储器项目入选“示范项目”,是少数几家入选“示范企业”和“示范项目”的公司 ,更是全国唯一一家相变存储器(PCM)入选的公司。
 
2016年9月28日,項目正式破土動工;2017年3月1日,年産10萬片12英寸相變存儲器項目舉行動工儀式;2017年11月9日主廠房封頂。
 
江蘇時代芯存半導體有限公司正式致力于开发及生产搭载最新PCM技术的存储产品。江苏淮安PCRAM生产项目总投资130亿元,一期投资43亿元。公司宣称拥有相变存储器完整的技术和工艺的知识产权及产业化能力,已制定了未来十年的产品规划。2017年6月16日,与IBM公司就相变存储知识产权移转淮安签约暨大容量存储产品研发合作启动仪式举行。
 
SK海力士半導體(中國)有限公司
(SK海力士,12英寸)

 
2019年4月18日SK海力士半導體(中國)有限公司举行了无锡工厂扩建(C2F)竣工仪式,不过海力士对于产能爬坡不是太积极。
 
2018年11月30日,首台生産裝備開始搬入廠房。
 
2016年11月二工廠破土動工,2017年10月29日,SK海力士與無錫市政府就海力士新上二工廠項目簽約,總投資高達86億美元。擴建完成之後,到滿産時,無錫基地將形成月産能20萬片10納米制程等級的晶圓生産基地。
 
SK海力士半導體(中國)有限公司是由韩国SK海力士株式会社于2005年4月投资设立的半导体制造工厂,主要生产12英寸半导体集成电路芯片。
 
SK海力士半導體(中國)有限公司在锡进行了多次增资及技术升级,累计投资额约200亿美元。
 
福建省晉華集成電路有限公司
(晉華集成,12英寸)

 
2019年以來,筆者在多個場合見到晉華集成副總,雖然並未透露任何有關晉華的信息,但其代表晉華公開現身,應該表明“晉華仍在運轉當中”。
 
2018年10月30日,美國商務部以國家安全爲由,宣布自10月30日起對晉華集成實施出口管制,被美國列入出口管制“實體清單”的中國企業。限制對其出口,原因是該公司新增的存儲芯片生産能力將威脅到爲軍方提供此類芯片的美國供應商的生存能力。目前項目陷入危機中。
 
2016年2月26日,晉華集成在福建省晉江市成立;2016年4月,台灣經濟部投審會通過聯電和晉華集成合作共同開發32納米DRAM制程;由聯電在南科研發,再移轉到晉華集成生産;2016年5月,晉華集成與聯電簽署技術合作協議,開發DRAM相關制程技術。由晉華支付技術報酬金,開發出的DRAM技術成果,將由雙方共同擁有;2016年6月9日晉華集成首座12英寸晶圓廠項目立項備案;2016年7月,晉華集成首座12英寸晶圓廠舉行施工典禮;2016年10月18日,晉華集成首座12英寸晶圓廠正式開工建設;2017年11月,晉華集成首座12英寸晶圓廠廠房封頂;2018年7月晉華集成首座12英寸晶圓廠工藝設備進場安裝,計劃年底進行小規模投片試産。
 
晉華集成是由福建省電子信息集團、及泉州、晉江兩級政府共同出資設立,被納入我國“十三五”集成電路重大生産力布局規劃。晉華集成電路與台灣聯華電子開展技術合作,專注于DRAM産品領域。預估2018年9月正式投産,到2019年底一廠一期項目可實現月産6萬片12英寸晶圓的産能,到2020年底一廠二期也將達産6萬片。並適時啓動二廠的建設,到二廠達産時,總産能將達24萬片。
 
中芯集成電路制造(紹興)有限公司
(中芯紹興,8英寸)
 

2109年11月16日,中芯集成電路制造(紹興)有限公司宣布8英寸生产线通线投片,2020年3月正式量产。
 
2019年6月19日,主體工程結頂;9月搬入工藝設備,10月完成了151台套設備的安裝調試。
 
2018年5月18日,中芯紹興8英寸廠房項目舉行奠基儀式,標志著中芯國際微機電和功率器件産業化項目正式落地紹興。
 
2018年3月1日,中芯紹興項目舉行簽約儀式,項目首期投資58.8億元人民幣。
 
北京燕東微電子科技有限公司
(北京燕東,8英寸)

 
2019年12月燕東微電子8英寸生産線投片,經過多次工藝試驗後,目前良率已經達到預期。
 
2019年6月25日,燕東微電子8英寸生産線首批設備正式搬入。首台搬入的設備是北方華創的刻蝕機。
 
2018年12月31日,燕东微电子8英寸Mini-line试验线第一片晶圆正式下线,实现了Trench MOSFET 30V产品全流程贯通,器件功能良好,电性能测试单片良率超80%。这是燕东微电子在8英寸晶圆制造的里程碑。
 
2018年4月15日,燕東微電子8英寸集成電路項目舉行上梁儀式,6月29日主廠房封頂。

江蘇英銳半導體有限公司
(江蘇英銳,6英寸)

 
江蘇英銳半導體有限公司6英寸厂于2019年第四季度试生产运营。
 
江蘇英銳半導體有限公司是由深圳英锐集团子公司盈信通科技(香港)有限公司投资建设,于2018年3月正式启动,项目总投资1.5亿美元。项目达产后,可年产芯片60万片,主要生产功率分立器件。
 
從日本、美國引進生産所需光刻機、離子注入機、刻蝕機、PECVD、濺射台等共計415台(套)。
 

産能爬坡篇

 
上海華力集成電路制造有限公司
(華力二期,12英寸)

 
自投产以来,上海華力集成電路制造有限公司(华力二期,HH FAB6)的产能迅速爬坡,2019年第二季度达月产10000片,到第四季度达月产20000片。
 
2018年10月18日,上海華力集成電路制造有限公司(华力二期,HH FAB6)生产线正式投片,首批12英寸硅片进入机台,开始28纳米工艺芯片制造。
 
2016年12月30日上海華力集成電路制造有限公司(华力二期,HHFAB6)12英寸先进生产线开工建设;2017年5月20日桩基工程完工,开始主厂房钢结构屋架吊装,11月2日厂房主体结构完成;2018年5月21日实现首台工艺设备光刻机搬入。
 
上海華力集成電路制造有限公司(华力二期,HH FAB6)12英寸先进生产线建设项目是上海市最大的集成电路产业投资项目,总投资387亿元人民币,建成月产能4万片的12英寸集成电路芯片生产线,工艺覆盖28-14纳米技术节点。项目计划于2022年底达产。
 
長江存儲科技有限責任公司
(長江存儲,12英寸)

 
2019年长江存储32层3D NAND闪存芯片实现全速量产;9月64层3D NAND闪存芯片已经开始生产。目前月产能约2万片,2020年将爬坡至5万片。
 
2018年第四季度,长江存储一期工程正式投产,32层3D NAND闪存芯片成功实现小规模量产。
 
2016年7月26日,长江存储有限责任公司成立;2016年12月30日,国家存储器基地项目正式开工建设;2017年7月,32层3D NAND 芯片T/O(设计完成);2017年9月,国家存储器基地项目一期工程提前封顶;2017年11月,耗资10亿美元、1000人团队历时2年研发的32层3D NAND 芯片完成首次验证;2018年4月11日,一期工程生产机台正式进场安装。
 
國家存儲器基地項目規劃,預計5年投入1600億元(約合240億美元),到2020年形成月産能30萬片的生産規模,到2030年建成每月100萬片的産能。
 
長鑫存儲技術有限公司
(長鑫存儲,12英寸)

 
2019年9月20日宣布正式量産,目前裝機月産能20000片。
 
2019年5月15日的GSA Memory+论坛上,长鑫存储董事长朱一明表示,公司DRAM项目计划年内大规模投产,产生正向现金流,实现商业可持续。长鑫存储DRAM技术来源于奇梦达,持续投入研发超过25亿美元,并不断完善自身研发技术;长鑫存储完成了第一座12英寸DRAM存储器晶圆厂建设,技术和产品研发有序开展,已持续投入晶圆超15000片。
 
2016年5月6日合肥12英寸存儲器“506項目”啓動;2017年3月廠房開工;2018年1月開始設備安裝;2018年7月16日,合肥12英寸存儲器“506項目”正式投片;2018年底19納米産品第一階段成果通過鑒定。
 
根據規劃,長鑫存儲合肥12英寸晶圓廠分爲三期,第一期滿載産能爲12萬片,預計分爲三個階段執行,第一階段要完成單月4萬片,目前爲2萬片,2020年第一季底達到4萬片。2020年開始規劃建設二期項目,並于2021年完成17納米工藝的DRAM研發。
 
合肥晶合集成電路有限公司
(合肥晶合,12英寸)

 
2019年底月産能達到20000片規模,較2018年12月擴增1倍。
 
2018年,晶合以110納米-180納米工藝制造LCD驅動芯片。由于因爲股權問題,和力晶陷入冷凍期,此後不再從力晶進行技轉,而是自研55納米工藝技術邏輯工藝,原計劃2019年量産,目前看來較計劃有所落後。
 
2015年10月20日,晶合總投資128.1億元人民幣的12英寸晶圓制造基地項目(一期)開工;2016年11月16日晶合集成一期舉行封頂儀式;2017年4月20日,晶合集成主機台進駐;2017年6月28日投産;2017年9月25日達到量産標准;2017年10月1日宣布正式量産。
 
公司計劃建置4座12英寸晶圓廠。其中一期投入資金超過百億元,目前已完成N1、N2兩個廠房主體的建設,N1廠計劃2020年達到滿産每月4萬片規模。
 
聯芯集成電路制造(廈門)有限公司
(廈門聯芯,12英寸)

 
2019年聯芯集成一期滿載月産能約爲25000萬片,實際産出每月18000+片。
 
聯芯集成電路制造(廈門)有限公司为台湾联华电子与厦门市人民政府及福建省电子信息集团合资成立之一流晶圆专工企业,于福建省厦门市从事集成电路制造,提供12英寸晶圆专工服务。联芯集成电路制造公司于2014年底开始筹建,2015年3月26日奠基动工,2016年11月开始投产,可提供40nm及28nm的晶圆专工服务,一期月产能为25000片12英寸晶圆。
 
廈門聯芯廠在引進28納米制程後,2017年第二季度投産5000片,第三季度投産12000片。2017年12月13日通過189.9億元新台幣(約合6.3億美元)資本預算執行案,間接增資廈門聯芯集成電路制造有限公司,擴增晶圓廠産能。2018年第一季度月産能將擴增至16000片規模,2018年年底實現月産25000片的目標。
 
台積電(南京)有限公司
(台積電南京,12英寸)

 
2019年月産能提升爲15000片,2020年第一季達到20000片的規劃産能。
 
2018年10月31日,台积电正式对外宣布南京12英寸晶圆厂FAB16量产,提供12寸16nm FinFET晶圆代工业务。
 
2015年年底,台積電宣布,已向台灣“投審會”遞件申請赴大陸設立12英寸晶圓廠與設計服務中心,設立地點確定爲江蘇省南京市江北新區,投資金額大約在30億美元;2016年3月28日台積電南京項目正式落戶南京,2016年7月7日項目一期正式開工建設;2017年9月12日,台積電南京公司舉行了機台MOVE-IN典禮;2018年5月晶圓廠開始試投産。
 
這次台積南京也打破了多項台積的紀錄,第一是建廠最快,從動土到進機只花了14個月,第二是上線最快,進機到開始生産不到半年的時間;第三,這是最美、最宏偉、最有特色的台積廠區。
 
英特爾半導體(大連)有限公司
(英特爾大連,12英寸)

 
2019年月産能爲85000片。
 
2018年第二季,英特尔宣布大连的Fab 68二期投产,主要生产96层的3D NAND闪存。
 
2015年10月19日,英特尔与大连市举行“大连?英特尔非易失性存储制造”项目签约。英特尔宣布,为了积极追赶竞争对手的市占率,Fab 68二期改造工程总投资55亿美元,该战略性计划是英特尔深化其非易失性存储器业务发展战略的一个重要举措。
 
此項投資符合英特爾大連工廠的長期發展策略,也體現了英特爾與中國共成長的長期發展承諾。
 
中芯國際集成電路制造(深圳)有限公司
(中芯深圳,12英寸)

 
中芯國際深圳基地12英寸MINI晶圓生産線月産能3000片。
 
中芯國際深圳基地規劃一條月産能4萬片的12英寸産線,聚焦在0.11微米到55納米這些工藝的生産,2017年第4季投産。
 
中芯國際集成電路制造(天津)有限公司二期
(中芯天津,8英寸)

 
2019年二期月産能維持20000片裝機規模。

根據公司財報,天津一期裝機産能爲45000片,2018年第四季天津基地産能達60000片,較2018年第二季增長了20%。
 
2017年2月扩产项目正式启动。2018年7月,中芯国际天津厂举行了P2 Full Flow扩产计划的首台设备进驻仪式。公司在2018年持续对天津基地进行投资以扩充产能。
 
2016年10月18日開始,正式啓動天津廠産能擴充計劃,該計劃預計投資金額爲15億美金。在計劃完成後,産能將達到每月15萬片的規模,有望成爲全球最大的單體8英寸晶圓的生産基地。
 
中芯集成電路(甯波)有限公司一期
(甯波中芯N1,8英寸)
 

一期規劃月産能15000萬。
 
2018年第三季度,中芯甯波8英寸特種工藝N1産線生産設備進廠,2018年11月2日正式投産。
 
這是中芯支持建設的特色工藝生線。中芯集成電路(甯波)有限公司由中芯晶圓與甯波勝芯、華創投資等聯合成立。公司將通過對相關知識産權和技術的收購、吸收、提升和發展,在高壓模擬半導體以及包括射頻與光電特色器件在內的模擬和特色工藝半導體技術領域,開發、建立新的核心器件及技術平台,以支持客戶面向智能家電、工業與汽車電子、新一代射頻通訊以及AR/VR/MR等專用系統應用的芯片設計、産品開發。
 
中芯集成電路(甯波)有限公司分爲N1(租用小港安居路現有廠房)與N2(柴橋)兩個項目,將建成爲中國最大的模擬半導體特種工藝的研發、制造産業基地,采用專業化晶圓代工與定制産品代工相結合的新型商業模式,並提供相關産品設計服務平台。
 
杭州士蘭集昕微電子有限公司
(士蘭集昕,8英寸)

 
一期8英寸生産線的産能規劃40000片,目前已經趨于飽和。
 
2015 年开工建设;2016 年1月主要生产厂房已结顶,部分生产设备运抵公司;2016 年 12 月底,主厂房建设、净化装修和机电动力设备安装等均已完工,部分工艺设备也已安装完毕并进入调试阶段预计。
 
2017年3 月产出第一片合格芯片;2017年6月正式投入量产;2017年12月实现月产15000片;当年共产出芯片5.71 万片。
 
2018年公司進一步加快8英寸芯片生産線投産進度,已有高壓集成電路、高壓MOS管、低壓MOS管、肖特基管、IGBT等多個産品導入量産。2018年6月,月産能達20000片,全年總共産出芯片30萬片。
 
上海新進芯微電子有限公司
(上海新進,8英寸)
 

2019年年底增加到月産15000片晶圓。 
 
自2015年啓動6英寸升級計劃,2016年8英寸設備開始進廠安裝調試,2017年第四季完成了對8英寸晶圓質量評估。2018年第一季度末每月産能達3000片8英寸晶圓,2018年年底增加到月産10000片晶圓。
 
四川廣義微電子股份有限公司
(四川廣義,6英寸)

 
2019年7月19日《英飛淩技術轉移項目》全面啓動,按節點完成IFXGEN5.0、GEN7.0的産品量産。月産能爬坡順利,至12月,月産能達60000片。
 
2018年12月,在北京燕東微電子的支持下,公司6英寸月産能順利達到30000片,較2018年7月的12000片,增長了150%。
 
2017年8月18日公司“0.25微米6英寸MOSFET”芯片項目一期生産線的正式投産;2018年6月與英飛淩簽訂了戰略合作協議;2018年8月與北京燕東微電子公司簽訂增資入股協議。
 
四川廣義微電子股份有限公司是一家专业化的集成电路设计、制造、销售于一体的IDM高科技企业,公司规划月产能15万片。
 
河南芯睿電子科技有限公司
(芯睿電子,6英寸)

 
2019年底,芯睿電子6英寸生産線月産能達20000片。
 
芯睿電子6英寸線于2018年6月6英寸開始全面投産,達産後,將形成年産20億只智能終端産品用超小型傳聲器。
 
芯睿電子與中科院固體物理所、西安電子科技大學等知名科研院所深度合作,組建的光電傳感與集成應用河南省重點實驗室、聲電轉換專用集成電路河南省工程實驗室、微電子研究院成爲企業持續創新、保持技術領先的秘密所在。公司獨有的“0.33微米厚度聲電轉換芯片技術”一些關鍵技術指標達到了國際先進水平。

在建篇
 
廈門士蘭集科微電子有限公司
(士蘭集科,12英寸)

 
2019年5月開始土建;8月完成樁基工程,主體施工開始,2019年12月23日主廠房封頂。預計2020年投産。
 
2018年10月18日,士蘭微廈門12英寸特色工藝芯片生産線舉行開工典禮。
 
12英寸特色工藝芯片項目總投資170億元,建設兩條以MEMS、功率器件爲主要産品的12英寸集成電路制造生産線。第一條12英寸産線,總投資70億元,工藝線寬90nm,計劃月産8萬片,分兩期實施:其中一期總投資50億元,實現月産能4萬片,將于2020年投産;項目二期總投資20億元,新增月産能4萬片。而第二條12英寸産線爲項目三期,預計總投資100億元,工藝線寬65nm--90nm。
 
项目由廈門士蘭集科微電子有限公司负责,公司注册资本为20亿元,其中厦门半导体投资集团以货币出资17亿元,占股85%;士兰微以货币出资3亿元,占股15%。
 
武漢弘芯半導體制造有限公司
(弘芯半導體,12英寸)

 
2019年12月22日,首台ASML光刻機搬入。
 
2019年7月3日,蔣爸尚義正式加盟弘芯;7月4日,主廠房封頂。目前有消息說公司正在商談14納米光掩模制版事宜。
 
2018年9月11日弘芯半導體制造産業園項目舉行開工儀式。公司宣稱立志成爲全球第二大CIDM晶圓廠。(筆者實在不知全球第一大CIDM晶圓廠是哪家公司?)
 
項目總投資1280億元,主要從事12英寸晶圓的集成電路制造代工業務。項目計劃于2019年上半年完成主廠房工程施工,2019年下半年正式投産。項目一期設計産能月産4.5萬片,預計2019年底投産;二期采用最新的制程工藝技術,設計月産能4.5萬片,預2021年第四季度投産。
 
公司表示,主要運營邏輯先進工藝、成熟主流工藝、以及射頻特種工藝,並持續研發世界先進的制程工藝。
 
三星(中國)半導體有限公司二期二階段
(三星西安X2-PH2,12英寸)

 
2019年12月25日三星西安基地二期二階段正式開工建設。預計2021年投産。
 
2019年12月10日,三星西安基地二期二階段投資正式啓動,預計投資達80億美元,規劃月産能7萬片。
 
三星西安基地二期一階段月産能6萬片,已經日前開始投片試産,將于2020年3月正式量産。
 
二期整體完工後,西安總産能將高達25萬片。
 
成都紫光國芯存儲科技有限公司
(紫光成都,12英寸)

 
目前正在澆土建筏板,整體進度相對遲緩!原預計2020年第三季投産的時間表應該要推後。
 
2018年10月12日,紫光成都存儲器制造基地項目開工。
 
据介绍,紫光成都存储器制造基地项目占地面积约1200亩,总投资达240亿美元,将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线,并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售,旨在打造世界一流的半导体产业基地。据悉,项目全部建成将可形成月产芯片30万片。
  
芯恩(青島)集成電路有限公司
(芯恩,12英寸)

  
目前12英寸廠房還在建設中。
 
芯恩(青島)集成電路項目正在建設特色型工藝的8英寸集成電路生産線一條,國內最先進數模混合工藝的40納米12英寸集成電路生産線一條,國內最先進14納米光掩膜版生産線一條,芯片測試廠一個以及組建嵌入式芯片32位MCU集成電路設計團隊。
 
2018年3月30日,甯波芯恩半導體科技有限公司和青島西海岸新區管委、青島國際經濟合作區管委、青島澳柯瑪控股集團有限公司簽署框架協議,打造中國首個CIDM集成電路項目;2018年4月6日完成項目立項備案,4月18日項目公司完成注冊,注冊名稱爲芯恩(青島)集成電路有限公司(注冊資本12.5億元,實繳資本2.231億元),4月25日完成首筆資金注入;2018年5月18日芯恩集成電路項目舉行開工典禮;2018年12月13日,簽署投資合作協議。
 
芯恩(青島)集成電路項目分兩期建設,總投資約188億元。項目開工日期爲2018年8月12日,工程接收日爲2019年12月26日,工期總日曆天數爲501日曆天。
  
泉芯集成電路制造(濟南)有限公司
(泉芯集成,12英寸)

 
泉芯集成12英寸晶圓制造線于2019年第一季度開工建設。目前到位資金約50億。
 
泉芯集成12英寸晶圓制造線計劃采用12nm/7nm的工藝節點。
 
股東包括逸芯集成技術(珠海)有限公司80%、濟南高新控股集團有限公司10%、濟南産業發展投資集團有限公司10%。
 
逸芯集成技術(珠海)有限公司2018年11月28日成立,注冊資本1億元人民幣。注冊地是珠海市橫琴新區寶華路6號105室-64419(集中辦公區)。法定代表人是曹山。高管信息包括:夏勁秋總經理。
 
芯恩(青島)集成電路有限公司
(芯恩,8英寸)

  
2019年10月28日宣布8英寸项目厂房封顶,12月27日高调宣布首台设备Olympus AL3120搬入。经咨询,Olympus AL3120是一台显微镜。
 
芯恩(青島)集成電路項目正在建設特色型工藝的8英寸集成電路生産線一條,國內最先進數模混合工藝的40納米12英寸集成電路生産線一條,國內最先進14納米光掩膜版生産線一條,芯片測試廠一個以及組建嵌入式芯片32位MCU集成電路設計團隊。
 
2018年3月30日,甯波芯恩半導體科技有限公司和青島西海岸新區管委、青島國際經濟合作區管委、青島澳柯瑪控股集團有限公司簽署框架協議,打造中國首個CIDM集成電路項目;2018年4月6日完成項目立項備案,4月18日項目公司完成注冊,注冊名稱爲芯恩(青島)集成電路有限公司(注冊資本12.5億元,實繳資本2.231億元),4月25日完成首筆資金注入;2018年5月18日芯恩集成電路項目舉行開工典禮;2018年12月13日,簽署投資合作協議。
 
芯恩(青島)集成電路項目分兩期建設,總投資約188億元。項目開工日期爲2018年8月12日,工程接收日爲2019年12月26日,工期總日曆天數爲501日曆天。
 
賽萊克斯微系統科技(北京)有限公司
(賽萊克斯,8英寸)

 
2019年12月25日,賽萊克斯北京8英寸項目一期開始設備搬入,較原計劃有所遲緩。
 
2018年賽萊克斯微系統科技(北京)有限公司继续完善核心管理及人才团队,推进8英寸MEMS国际代工线建设项目的建设,2018年11月基础工程建设已部分封顶。项目规划分三期建设。
 
原2019年第3季度一期達到試生産狀態,2020年形成新增産能;二期預計2012年投産;三期預計在2023年投産,2024年力爭實現滿載,形成年産能38萬片8英寸MEMS矽晶圓。
 
上海積塔半導體有限公司
(積塔半導體,8英寸)

 
2019年12月28日8英寸廠房開始設備搬入。
 
2019年5月21日,上海積塔半導體有限公司8英寸特色工艺生产线项目厂房举行了结构封顶仪式。
 
積塔半導體特色工藝生産線項目總投資359億元,目標是建設月産能6萬片的8英寸生産線和5萬片12英寸特色工藝生産線,還將建設一條6英寸碳化矽生産線,將在國內首家實現12英寸65納米BCD工藝,建設一條汽車級IGBT專用生産線。
 
産品重點面向工控、汽車、電力、能源等領域,將顯著提升中國功率器件(IGBT)、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規模化生産能力。
 
2018年8月16日,積塔半導體有限公司特色工藝生産線項目正式開工。
 
中芯集成電路(甯波)有限公司二期
(甯波中芯N2,8英寸)

 
2019年2月28日,中芯甯波特種工藝N2項目正式開工。規劃月産能45000萬。
 
N2項目位于甯波市北侖區柴橋,項目用地面積192畝,建築面積20萬平方米,項目總投資39.9億元,建設工期2019年-2021年,2019年計劃投資5億元。
 
根據規劃,N2項目建成後將形成年産33萬片8英寸特種工藝芯片産能,同期開發高壓模擬、射頻前端、特種半導體技術制造和設計服務。
 
這是中芯支持建設的特色工藝生線。中芯甯波分爲N1(小港)與N2(柴橋)兩個項目,將建成爲中國最大的模擬半導體特種工藝的研發、制造産業基地,采用專業化晶圓代工與定制産品代工相結合的新型商業模式,並提供相關産品設計服務平台。
 
杭州士蘭集昕微電子有限公司
(士蘭集昕二期,8英寸)

 
士蘭集昕擬對8英寸線進行技術改造。本項目利用士蘭集昕現有的公用設施,在現有生産線的基礎上,通過增加生産設備及配套設備設施,形成新增年産43.2萬片8英寸芯片制造能力。
 
本項目總投資15億元,建設周期約爲五年,分兩期進行。其中,一期計劃投資6億元,形成年産18萬片8英寸芯片的産能。二期計劃投資9億元,形成年産25.2萬片8英寸芯片的産能。
 
海辰半導體(無錫)有限公司
(無錫海辰,8英寸)

 
2019年12月12日,首批從韓國搬遷的工藝設備搬入海辰半導體廠房。
 
2019年2月27日,海辰半導體新建8英寸非存儲晶圓廠主廠房正式封頂。
 
2018年7月SK海力士表示,旗下晶圓代工子公司SK海力士系統IC公司與無錫市政府旗下的無錫産業發展集團有限公司組成的合資公司,2018年下半年啓動工廠的建設。
 
海辰半導體項目將建設200毫米晶圓模擬生産線,項目總投資67.9億,規劃年産能126萬片8英寸晶圓,主要生産面板驅動IC(DDI)、電源管理IC(PMIC)、CMOS影像感測器(CIS)。
 
SK海力士系統IC公司負責半導體生産設備,而無錫産業發展集團則負責提供其他必要的基礎設施。據悉SK海力士位于韓國清州M8廠的設備將在2021年底前運至無錫。
 
濟南富能半導體有限公司
(富能半導體,8英寸)

 
2019年12月4日,富能半導體一期項目成功封頂。
 
2019年3月15日,富能半導體一期項目舉行樁基工程。據悉一期項目投資60億元,建設月産3萬片8英寸矽基半導體功率芯片(MOSFET、IGBT)和月産一千片的6英寸碳化矽功率器件的産能,産品覆蓋消費、工業、電網以及新能源車的應用,計劃2020年底實現量産。
 
富能半導體成立于2018年11月8日,法人代表陳昱升,持股40%,另60%的持有人是濟南富傑産業投資基金;富能半導體項目規劃建設月産10萬片的兩個8英寸廠及一個月産5萬片的12英寸廠。
 
濟南富傑産業投資基金的股東包括濟南産業發展投資集團有限公司、思華(北京)投資管理有限公司、富士邁半導體精密工業(上海)有限公司、鴻富晉精密工業(太原)有限公司、訊芯電子科技(中山)有限公司。
 
富士邁半導體、鴻富晉、訊芯電子都是富士康集團的關聯企業,這也說明該項目確實和富士康有一定的關系。
 
吉林華微電子股份有限公司
(華微電子,8英寸)
 

華微電子8英寸生産線籌備將近十年,終于有望實現。目前購買設備和廠房建設同步進行。
 
2019年4月1日,華微電子公告,擬配股募集資金不超過10億元(含發行費用),扣除發行費用後的淨額擬全部用于新型電力電子器件基地項目(二期)的建設。項目建成後,華微電子將具有年産8英寸芯片24萬片的加工能力。産品包括重點應用于工業傳動、消費電子等領域,形成600V-1700V各種電壓、電流等級的IGBT芯片;同時包括應用于各領域的具有成熟産業化技術的MOSFET芯片,以及與公司主流産品配套的IC芯片。
 
華微電子是中國功率半導體器件領域首家主板A股上市公司,是飛利浦、松下、日立、海信、創維、長虹等國內外知名企業的配套供應商。

山東興華半導體有限責任公司
(山東興華,6英寸)
 

2019年6月15日,据称是由我国最早的半导体制造公司香港兴华半导体工业有限公司投资的山东兴华半导体项目在日照开工。运营主体是5月17日注册成立的山東興華半導體有限責任公司。
 
項目計劃總投資50億元,分兩期建設,一期計劃建設一條年産36萬片的5英寸/6英寸的晶圓制造線,二期建設一條8英寸集成電路晶圓制造線。
 
香港兴华成立1979年,1982年5英寸晶圆生产线开始运营,公司主要提供1.5μm/2.0μm/3.0μm /5.0μm硅栅CMOS、2.0μm低压金属栅CMOS、5.0μm高压金属栅CMOS工艺制程。
 
興華半導體爲我國培養了大批的半導體工藝制程人才,目前國內很多晶圓生産線的高管都在此工作過。
 
規劃篇
 
華潤微電子(重慶)有限公司
(華潤重慶,12英寸)

 
華潤重慶基地將利用現有廠房建設12英寸生産線。
 
2018年11月5日,華潤微電子與西永微電園簽署協議,共同發展12英寸晶圓生産線項目,該項目投資約100億元,建設12英寸功率半導體晶圓生産線,將主要生産MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導體産品。
 
華潤微電子無錫項目
(華潤微電子,8英寸)

 
根據華潤微電子招股說明書顯示,公司計劃在無錫基地擴建一條8英寸生産線。
 
上海積塔半導體有限公司
(積塔半導體,12英寸)
 

12英寸特色芯片工藝生産線計劃2023年投産。
 
積塔半導體特色工藝生産線項目總投資359億元,目標是建設月産能6萬片的8英寸生産線和5萬片12英寸特色工藝生産線,還將建設一條6英寸碳化矽生産線,將在國內首家實現12英寸65納米BCD工藝,建設一條汽車級IGBT專用生産線。
 
産品重點面向工控、汽車、電力、能源等領域,將顯著提升中國功率器件(IGBT)、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規模化生産能力。
 
紫光DRAM項目
(紫光DRAM,12英寸)

 
紫光國芯DRAM存儲芯片制造工廠原預計2019年底開工建設,預計2021年建成投産。但截止目前,紫光國芯集成電路股份有限公司還沒有注冊成立。
 
2019年8月27日,紫光集團和重慶市人民政府簽署紫光存儲芯片産業基地項目合作協議。

根據協議,紫光集團將在重慶兩江新區發起設立紫光國芯集成電路股份有限公司,建設包括DRAM總部研發中心在內的紫光DRAM事業群總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。
 
2019年6月30日,紫光集團發布公告,成立DRAM事業部。
 
青島城芯半導體科技有限公司
(城芯半導體,12英寸)

 
但截止目前,城芯半導體沒有任何實質性進展。
 
青島城芯半導體科技有限公司计划建设一条月产4万片的12英寸模拟集成电路芯片生产线。
 
2018年7月5日,矽力傑12英寸先進模擬芯片集成電路産業化項目簽約,項目共同投資約180億元人民幣,建設一條12英寸模擬集成電路芯片生産線,規劃産能每月可達4萬片。
 
據悉,矽力傑半導體項目未來規劃建設2條12英寸模擬集成電路芯片生産線,1條8英寸模擬集成電路芯片生産線。
 
實際上,青島城芯要建設的12英寸生産線就是矽力傑半導體青島項目,令人疑惑的是,除青島項目外,目前有多個地方園區收到矽力傑晶圓廠的計劃書。
 
四川中科晶芯集成電路制造有限責任公司
(中科晶芯,8英寸)

 
2019年5月15日,中國華冶科工集團有限公司、中國電子系統工程第二建設有限公司組成聯合體與中科晶芯集成電路制造有限公司在成都簽訂了8寸圓晶廠項目合作意向書,據悉,工廠將在綿陽設立。
 
但截止目前,中科晶芯沒有任何實質性進展。
 
贛州名芯半導體項目
(贛州名芯,8英寸)

 
2019年6月6日,贛州經開區與名芯有限公司、電子科技大學廣東電子信息工程研究院簽訂三方合作框架協議,總投資200億元的名芯半導體項目順利落戶。
 
據悉,項目分兩期建設:一期投資60億元,建設一條8英寸功率晶圓生産線;二期投資120-140億元,規劃建設第三代6/8英寸晶圓制造生産線或12英寸矽基晶圓制造生産線。
 
項目涉及的産品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等,覆蓋全球功率器件領域全部類別中80%品種。
 
同時,項目規劃建設與晶圓關聯的封測工廠、IC設計公司、微電子研究院等三個項目。
 
截止目前,公司都還沒有注冊。
  
停擺篇
 
南京紫光存儲科技控股有限公司
(紫光南京,12英寸)
 

目前項目處于事實停工狀態,工地已經是草長莺飛。
 
2018年9月30日,紫光南京半导体产业基地项目项目开工,总投资300亿美元。据悉,南京基地原计划生产64层3D NAND芯片。
 
项目一期投资约105亿美元,月产芯片10万片,主要产品为3D NAND Flash、DRAM存储芯片等。预估项目全部建成将可形成月产12英寸3D NAND存储器芯片30万片。
 
格芯(成都)集成電路制造有限公司
(格芯成都,12英寸)

 
2019年初,格芯(成都)集成電路制造有限公司已经事实停摆。
 
2018年10月26日,格芯與成都合作夥伴簽署了投資合作協議修正案。基于市場條件變化、格芯于近期宣布的重新專注于差異化解決方案,以及與潛在客戶的商議,將取消對成熟工藝技術(180nm/130nm)的原項目一期投資。同時,將修訂項目時間表,以更好地調整産能,滿足基于中國的對差異化産品的需求包括格芯業界領先的22FDX技術。
 
2017年2月10日,格芯宣布正式啓動建設12英寸晶圓成都制造基地,推動實施成都集成電路生態圈行動計劃,投資規模累計超過100億美元,其中基礎設施是93億美元,其余爲基礎設施和生態鏈的建設,力爭打造中國大陸單一邏輯産品産能最大的12寸工廠。
 
格芯12寸晶圆代工厂分两期建设,第一期0.18um和0.13um,技术转移来自GF新加坡,2018底预计产能约2万每月;第二期为重头戏22nm SOI工艺,2018年开始从德国FAB转移,计划2019年投产,预计2019年下半年产能达到约6.5万每月。
 
德淮半導體有限公司
(德淮,12英寸)

 
公司目前已經處于停滯狀態。
 
2018年4月28日生産線核心設備尼康(Nikon)光刻機(S308/S206)進廠安裝,其中S308可滿足65納米工藝生産,S206可滿足110納米工藝生産。
 
德淮半導體有限公司是一家专注于CMOS影像传感器的半导体公司,总投资预计约500亿人民币。规划建设三个12英寸CMOS图像传感器专属晶圆厂。项目首期预计投入150亿元,为年产24万片的12英寸晶圆厂。
 
2016年1月19日公司注冊成立;2016年3月27日12英寸晶圓廠破土動工;2016年4月1日在日本成立芯片設計公司;2016年12月與意法半導體簽署工藝授權;2016年12月與安森美半導體簽署CIS産品和技術授權;2017年6月公司舉行封頂儀式。
 
德科碼(南京)半導體科技有限公司
(德科碼南京,8英寸)

 
2019年,工地現場已經人去樓空,廠房已經成爲爛尾樓。
 
2015年10月,德科碼(南京)半導體科技有限公司成立,服务于南京半导体项目筹建;并与南京经济技术开发区签署并执行南京8英寸和12英寸晶圆厂项目。
 
2015年11月27日項目簽約,總投資25億美元。項目將分期建設,一期項目爲8英寸晶圓廠一座,規劃月産能40000片晶圓,以電源管理芯片、微機電系統芯片生産爲主。2017年8月21日宣布獲得以色列TowerJazz技術支持。

一期建設8英寸晶圓廠,總投資5億美元,以自主設計的圖像傳感器芯片制造爲主,預計投産後産能可達4萬片/月;二期項目爲12英寸晶圓廠,總投資20億美元,投産後産能可達2萬片/月。
 
2016年6月8日項目奠基,2017年2月全面啓動廠區土木與機電建設工程。2018年2月舉行上梁儀式。
 
據悉,地方政府已經推出一系列優惠政策,希望有公司可以接手該項目。
 
江蘇中璟航天半導體實業發展有限公司
(中璟航天,8英寸)
 

目前暫時處于停滯狀態。
 
2019年4月盱眙政府表示,現階段,中璟項目的推進工作有了一定的成效,但還未形成規模,盱眙會進一步落實項目主體責任,助推項目取得實質性的發展。
 
2017年,中璟航天半導體8英寸晶圓制造項目落戶小龍蝦之鄉淮安市盱眙縣,盱眙成爲全國第三個引進8英寸生産線的縣城。
 
據悉,項目晶圓制造爲核心,打造半導體全産業鏈全域化、國家級半導體産業基地,創建以産學研、創融投相結合的共融共生全生態循環經濟發展模式,實現真正的“中國芯”。當時項目方表示,項目總投資120億元,其中兩條年産24萬片8英寸CIS晶圓制造廠的投資爲60億元,原預計將于2018年12月底前竣工投産。
 
2018年4月在南京舉行的“2018中國半導體市場年會暨第七屆集成電路産業創新大會”上,中璟航天獲得賽迪顧問頒發的“最具成長力企業獎”和“投資新銳獎”兩個獎項。
 
中璟航天實力如何,筆者不得而知。但是中璟航天確實是高調。
 
2017年3月11日,中璟航天半導體宣布投資近40億美元的12英寸CIS晶圓廠落戶成都郫都區,沒有下文;2017年4月22日宣布投資60億元半導體生産基地項目落戶廣東江門市開平翠山湖科技園,無疾而終;2018年4月28日,江蘇發布了《2018年省重大項目名單》,在第二部分“前期工作項目”中,我們也發現有“如臯中璟航天第三代化合物半導體”,沒有動靜了。
 
二、化合物項目
 
1、投産篇
 
廈門士蘭明镓化合物半導體有限公司
(士蘭明镓,6/4英寸,砷化镓/氮化镓)

 
士蘭化合物半導體生産線項目于2019年12月23日投産,計劃7款産品逐步投入量産,將于2021年達産。
 
士兰化合物半导体项目由廈門士蘭明镓化合物半導體有限公司负责实施运营,公司注册资本为8亿元,其中厦门半导体投资集团以货币出资5.6亿元,占股70%;士兰微以货币出资2.4亿元,占股30%。
 
項目總投資50億元,建設4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生産線,主要産品包括下一代光模塊芯片、5G與射頻相關模塊、高端LED芯片産品。分兩期實施,其中,項目一期投資20億元,2019年底投産,2021年投産;項目二期投資30億元,計劃2021年啓動,2024年達産。
 
2018年10月18日,項目舉行開工典禮;2019年4月主廠房封頂;6月進入設備安裝調試階段,砷化镓與氮化镓芯片産品已分別于10月18日、12月10日正式通線點亮。

 
2、産能爬坡篇
 
英諾賽科(珠海)科技有限公司
(英諾賽科珠海,8英寸,氮化镓)

 
2019年8英寸硅基氮化镓生产线产能进一步提升,公司现有三台世界领先的针对8英寸硅基氮化镓外延的产业化设备G5+ MOCVD机台。
 
2017年11月9日,英諾賽科(珠海)科技有限公司8英寸硅基氮化镓生产线通线投产。主要产品包括8英寸硅基氮化镓晶圆及100V-650V氮化镓功率器件。
 
株洲中車時代半導體有限公司
(株洲中車,6英寸,碳化矽)

 
株洲中車時代半導體有限公司成立于2019年1月18日,承接株洲中车时代电气股份有限公司半导体事业部的现有资产、负债及业务。专业从事大功率半导体器件的研发与制造,是我国最早开发大功率半导体器件的单位之一,全面掌握晶闸管、整流管、IGCT(集成门极换流晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)、SiC(碳化硅)器件及功率组件全套技术。
 
2018年1月,在中国科学院微电子研究所的技术支持和协助下,株洲中车6英寸碳化硅(SiC)芯片生产线顺利完成技术调试,厂务、动力、工艺、测试条件均已完备,可实现4英寸及6英寸SiC SBD、PiN、MOSFET等器件的研发与制造。这是国内首条6英寸碳化硅生产线。
 
生産廠房2017年8月交付使用,12月SiC芯片生産線便完成了工藝設備技術調試,2018年1月首批芯片試制成功。
 
蘇州能訊高能半導體有限公司
(蘇州能诩,4英寸,氮化镓)

 
2019年5月,蘇州能訊高能半導體有限公司4英寸氮化镓芯片产线建成。
 
蘇州能訊高能半導體有限公司3英寸氮化镓器件生产线于2011年开始建设;2013年试生产,2014年投产,2015年开始批量生产。2017年开始转换4英寸。
 
能訊半導體采用整合設計與制造(IDM)的模式,自主開發了氮化镓材料生長、芯片設計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應用電路技術。目前完成了面向5G通信系統的技術與産品的積累,産品性能已通過國際一流通訊企業的測試與認證。
 
江蘇能華微電子科技發展有限公司
(江蘇能華,4/6英寸,氮化镓)

 
2017年11月15日公司生産線正式投産後,産能一直在穩定提升中。
 
江蘇能華微電子科技發展有限公司是专业设计、研发,生产、制造和销售以氮化镓(GaN)为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。
 

3、在建篇
 
英諾賽科(蘇州)半導體有限公司
(英諾賽科蘇州,8英寸,氮化镓/碳化矽)

 
2019年8月29日主廠房封頂,預計12月底生産設備正式進廠,2020年投産。
 
2018年6月23日開工,計劃在5年內完成投資60億,達産後,月産能達6萬片。項目將聚焦在氮化镓和碳化矽等核心産品,目標是打造一個包括理論研究、材料研發與制造、器件設計、芯片制造、封裝測試、失效分析和應用驗證等全産業鏈半導體研發基地。爲5G通信、新能源汽車、智能制造、人工智能、電子信息、大數據等領域提供更先進的、高效、節能和低成本的核心半導體芯片。 
 
北京世紀金光半導體有限公司
(世紀金光,6英寸,碳化矽)

 
2018年2月1日,北京世紀金光半導體有限公司6英寸碳化硅器件生产线成功通线。截止目前,工艺还在调试中。
 
北京世紀金光半導體有限公司成立于2010年12月24日,其前身为中原半导体研究所。公司主营宽禁带半导体晶体材料、外延和器件的研发与生产。
 
濟南富能半導體有限公司
(富能半導體,6英寸,碳化矽)
 

2019年12月4日,富能半導體一期項目成功封頂。
 
2019年3月15日,富能半導體一期項目舉行樁基工程。據悉一期項目投資60億元,建設月産3萬片8英寸矽基半導體功率芯片(MOSFET、IGBT)和月産一千片的6英寸碳化矽功率器件的産能,産品覆蓋消費、工業、電網以及新能源車的應用,計劃2020年底實現量産。
 
富能半導體成立于2018年11月8日,法人代表陳昱升,持股40%,另60%的持有人是濟南富傑産業投資基金;富能半導體項目規劃建設月産10萬片的兩個8英寸廠及一個月産5萬片的12英寸廠。
 
濟南富傑産業投資基金的股東包括濟南産業發展投資集團有限公司、思華(北京)投資管理有限公司、富士邁半導體精密工業(上海)有限公司、鴻富晉精密工業(太原)有限公司、訊芯電子科技(中山)有限公司。
 
富士邁半導體、鴻富晉、訊芯電子都是富士康集團的關聯企業,這也說明該項目確實和富士康有一定的關系。


4、規劃篇
 

上海積塔半導體有限公司
(積塔半導體,6英寸,碳化矽)

 
積塔半導體特色工藝生産線項目總投資359億元,目標是建設月産能6萬片的8英寸生産線和5萬片12英寸特色工藝生産線,還將建設一條6英寸碳化矽生産線,將在國內首家實現12英寸65納米BCD工藝,建設一條汽車級IGBT專用生産線。
 
産品重點面向工控、汽車、電力、能源等領域,將顯著提升中國功率器件(IGBT)、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規模化生産能力。
 

5、停擺篇

 
北京雙儀微電子科技有限公司
(北京雙儀,6英寸,砷化镓)

 
目前項目終止。
 
2018年7月30日,北京雙儀微電子科技有限公司宣布拟投资10亿元,租赁北京燕東微電子科技有限公司的部分厂房建设具备规模化量产能力的先进工艺技术生产线,进行6英寸砷化镓微波集成电路(GaAs MMIC)芯片的代工服务,该项目预计于2019年初投产使用,规划每月2万片产能。
 
北京雙儀微電子科技有限公司是一家技术初创公司,旨在为5G和IoT毫米波市场领域所遇到的挑战开发出新的解决方案,提供高性能的射频组件。
 
2020年特別關注項目
 
2020年關注以下項目,看命運如何?
 
福建省晉華集成電路有限公司:2020能否满血复活
芯恩(青島)集成電路有限公司:铁打的营盘流水的兵
江蘇時代芯存半導體有限公司:花开花落终有期
武漢弘芯半導體制造有限公司:熊心撞志当老二
泉芯集成電路制造(濟南)有限公司:千金散尽还复来
紫光DRAM項目:犹抱琵笆半遮面


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