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西安三星12英寸閃存芯片二期第二階段項目正式啓動!


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12月25日,西安三星12英寸閃存芯片二期第二階段項目正式啓動。


三星電子一期投資108億美元,建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目;二期項目總投資150億美元,主要制造閃存芯片。


其中,二期項目第一階段投資約70億美元,明年3月竣工投産;第二階段投資80億美元,2021年下半年竣工。二期項目建成後將新增産能每月13萬片,新增産值300億元,解決上千人就業,並帶動一批配套電子信息企業落戶。


2017年8月30日,三星電子株式會社與陝西省政府簽署了投資合作協議,決定在西安高新綜合保稅區內建設三星(中國)半導體有限公司存儲芯片二期項目。


今年12月10日,三星電子閃存芯片項目二期第二階段80億美元投資正式啓動。


2018年3月28日,三星電子高端存儲芯片二期項目正式啓動,目前,項目前期基礎設施建設和廠房建設已經完成,即將進入內部裝修和機電設備安裝階段。


三星(中國)半導體有限公司董事長任伯均表示,二期項目建成後,三星(中國)半導體公司將成爲世界領先的閃存芯片生産基地。


據此前西安日報報道,目前“西安造”的高端存儲芯片占到整個三星同類産品的37%,占到全世界同類産品的13%。


來源:愛集微

 

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